英伟达、台积电等巨头计划将碳化硅衬底应用于GPU先进封装的中介层（Interposer），替代传统硅材料，可显著提升散热效率，解决CoWoS封装中高功耗芯片的散热瓶颈。
    除此之外，新能源领域国内800V高压平台车型渗透率半年内攀升至42%，小米YU7、比亚迪全域1000V架构等车型密集推出，带动车规级SiC需求激增，2025年国内新能源车SiC用量预计达800万片，目前国内6英寸SiC衬底价格较2021年下降超70%，8英寸衬底良率突破70%，全球衬底出货占比达35%，打破美日荷垄断

市场格局

    全球碳化硅器件市场仍由意法半导体、英飞凌、Wolfspeed等国际厂商主导，合计占比83%，但国内厂商在衬底份额正在快速提升，市占率同比增速超180%，导电型SiC衬底由美国Wolfspeed领跑，国内企业天岳先进、天科合达分列全球第二、第三。
    国内衬底环节设备环节国产率超60%，晶盛机电长晶炉市占率超50%，器件环节斯达半导、芯联集成在车规领域市占率突破30%。

驱动逻辑

    新能源车：高压平台刚需：800V平台用SiC逆变器可使新能源车续航提升10%、快充时间缩短20%，2026年全球800V车型占比预计超30%，带动车规级SiC器件需求年增58%。
    AI算力：供电+封装双需求：数据中心单机柜功率从传统12kW升至AI数据中心的20-50kW，800V HVDC架构下SiC价值量达0.3-0.4元/瓦，2030年100GW规模对应市场空间40亿；CoWoS封装SiC中介层若70%替代，2030年需230万片12英寸衬底（等效920万片6英寸）。
    光伏储能：政策强驱动：国家要求2025年新建光伏电站SiC渗透率达50%，SiC逆变器效率比传统产品高3%，1GW电站年多发电3000万度，2025年国内光伏储能SiC需求增速超60%。
    AI算力:英伟达计划2027年在新一代GPU的CoWoS先进封装中采用SiC中介层，台积电同步研发12英寸单晶SiC用于散热载板，替代传统陶瓷基板，解决高功率GPU的散热瓶颈，若CoWoS中介层70%替换为碳化硅，2030年需12英寸衬底超230万片，远超当前供给。

    2024年全球碳化硅器件市场规模约43.6亿美元，机构预估预计2030年达229亿美元，CAGR 32%

布局情况

衬底

    天岳先进：全球碳化硅衬底龙头，份额稳居前二，已成功研制12英寸半绝缘/导电型衬底，切入英伟达封装供应链。
    三安光电：国内唯一“衬底-外延-器件”全产业链IDM企业，与意法半导体合资的重庆安意法8英寸车规产线2025Q4量产，8英寸衬底小批量供货蔚来，2025年SiC器件营收占比预计达25%。
    天富能源：持有天科合达9.09%股权，天科合达为国内第二大衬底厂商，其6英寸衬底批量生产，2024年银川基地30万片/年8英寸产能满产，受益于光伏储能需求。
    露笑科技：SiC衬底年产能20万片，8英寸良率60%，与比亚迪、宁德时代深度绑定，产品单价较国际低30%，合肥百亿产业园一期达产后产能将增至24万片/年。

设备

    晶盛机电：全球SiC长晶炉市占率超50%，覆盖长晶、切割、外延全流程设备，8英寸外延设备国产化率超80%，同时延伸至衬底生产，12英寸多晶SiC技术在SEMICON 2025展出。
    晶升股份：8英寸电阻法SiC单晶炉解决长晶“可视化”难题，良率行业领先，2025年批量交付天岳先进、三安光电，设备国产化率超80%，适配CoWoS封装衬底生产需求。
    高测股份：SiC衬底切割设备龙头，切割效率较传统提升30%，核心客户包括天岳先进、三安光电，2025年受益于8英寸衬底扩产潮。
    北方华创：碳化硅刻蚀、沉积设备市占率高，PVT设备份额超60%
    中微公司：研发碳化硅外延设备，切入第三代半导体设备赛道

器件/外延

    斯达半导：国内车规级SiC MOSFET模块领军企业，产品适配蔚来、小鹏800V平台，市占率达35%，光伏储能领域外延片自供率提升至60%，2025年相关营收同比增200%。
    芯联集成：车规级SiC器件市占率快速提升，2024年营收同比增188%，与小鹏联合开发混合SiC方案，国内首条8英寸SiC器件产线实现量产。
    民德电子：SiC外延片小批量出货华为、比亚迪，合作晶圆代工厂广芯微电子600片/月产能逐步释放，构建“外延-晶圆加工-芯片设计”Smart IDM生态圈。
    士兰微：聚焦中低压碳化硅器件，混合模块已量产，加速推进全碳化硅方案。 

    扬杰科技：产品线覆盖二极管、MOSFET，碳化硅器件已导入光伏及储能客户。
捷捷微电：布局碳化硅晶圆及器件，重点拓展工控与汽车电子市场。

材料/特色

    东尼电子：SiC切割线及导电材料市占率超35%，切割效率提升30%，供应天岳先进、三安光电，子公司SiC单晶材料2025年量产，适配12英寸衬底加工需求。
    科创新材：北交所唯一SiC概念股，2025H1 SiC复合材料收入同比激增436.8%，产品供应贝特瑞，募投6000吨项目产能逐步释放，聚焦SiC石墨复合坩埚领域。
    华润微：SiC MOS覆盖650V-1700V全电压平台，推出1200V车规主驱模块，GaN G3产品全面量产，旗下润新微电子外延基地通线，满足国内宽禁带半导体材料需求。

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