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摩根大通:SK海力士Q3业绩超预期,维持增持看至275万韩元

行业动态 2026-10-28 09:07 格隆汇 · 研报 126 阅读 来源:格隆汇 · 研报
维持增持评级,目标价275万韩元

摩根大通发布报告对SK海力士2026年第三季度财报的首次解读。

SK海力士交出了一份超预期的业绩答卷:3Q26销售额104.6万亿韩元、营业利润83.3万亿韩元,均创历史新高,主要动力来自服务器DRAM和eSSD价格上涨以及出货量强劲。DRAM ASP环比上涨高20%以上,NAND ASP环比中20%以上,均显著超出预期。尽管税前利润和净利润受汇率损失和铠侠投资估值损失拖累,但营业利润的强劲表现验证了内存上行周期和HBM4爬坡的逻辑。

公司宣布的100万亿韩元股东回报计划(远超共识)进一步提振了市场信心,显示管理层对未来现金流的信心。同时,公司通过长期协议锁定2027-2028年超过50%产能,与14家关键客户合作,为未来收入和盈利确定性提供保障。技术方面,HBM4在4Q将超越HBM3E成为主力,1cmn和321L NAND等先进制程持续推进,公司预计内存需求将超过供给直至2030年,支撑长期增长。

摩根大通维持增持评级,目标价2,750,000韩元,基于7倍2026-27年平均EPS,较当前股价有约105%上涨空间。作者认为内存上行周期处于早期阶段,SK海力士作为纯内存业务具备高贝塔弹性,AI解决方案执行力是关键优势。下行风险包括DRAM价格和利润率低于预期、终端需求疲软;上行催化剂包括DRAM ASP进一步上涨。

主要观点

3Q26业绩大幅超预期,销售额和营业利润创历史新高

SK海力士3Q26实现销售额104.6万亿韩元,营业利润83.3万亿韩元,分别超出市场共识9%和16%,超出摩根大通预期11%和16%。业绩超预期主要得益于服务器DRAM和eSSD平均售价(ASP)上涨强于预期,以及出货趋势好于指引。DRAM ASP环比上涨高20%以上(预期+20%),NAND ASP环比上涨中20%以上(预期+12%);DRAM bits环比增长约10%,NAND bits环比略降但好于预期。尽管存在汇率逆风,强劲的定价与出货仍推动盈利超预期。作者认为DRAM ASP的强劲表现表明HBM4产能爬坡顺利。

宣布100万亿韩元股东回报计划,远超市场共识

公司宣布2026年股东回报计划总额100万亿韩元(约占2026年预期自由现金流的65%以上),包括60万亿韩元股票回购和40万亿韩元股息。该规模远超市场共识的约40万亿韩元。3Q26每股股息为20,000韩元(其中10,000韩元来自核心运营,10,000韩元来自铠侠股权出售收益),并计划将大部分铠侠股权出售相关收益用于年末特别股息。此外,公司还宣布了一项20万亿韩元回购计划(10万亿用于股东回报,10万亿用于PSU购买)。这一系列举措有望显著提升股东价值,提振市场信心。

内存供需前景乐观,公司预计需求将超过供给直至2030年

公司重申内存需求将超过供给直至2030年。技术方面,SK海力士计划提高1cmn服务器产品占比,扩大1cmn DDR5和LPDDR5 SOCAMM销售;321L NAND产能占比预计在4Q达到50%以上。HBM方面,M15X产线预计2026年底前满产,4Q HBM4出货量和收入将超过HBM3E。2027年HBM谈判已敲定,与常规DRAM的盈利差距将显著缩小。公司已与14家关键客户(包括主要全球云服务提供商)签订长期协议(LTA),锁定2027-2028年超过50%的总产能,为未来供需和收入可见性提供坚实基础。

资本开支按计划推进,2027年将显著增加

3Q26资本开支为12.7万亿韩元,年初至今31万亿韩元,符合全年47万亿韩元的预期。资本开支主要投向龙仁集群基础设施和M15X产能爬坡的关键设备采购。管理层预计2027年资本开支将显著高于2026年,反映公司对未来需求的信心,但同时也可能增加供给压力。

税前利润和净利润受非经营性因素拖累,需关注需求疲软信号

尽管营业利润强劲,3Q26税前利润50.7万亿韩元,环比下降59%,低于预期29%;净利润39.5万亿韩元,低于预期28%。主要拖累来自汇率损失11.6万亿韩元和可能存在的铠侠相关投资估值损失22.9万亿韩元。此外,PC/智能手机需求出现疲软迹象,部分整机出货和产品组合调整可能因内存价格上涨所致。这些因素值得关注,但作者认为不改变长期上行趋势。

维持增持评级,目标价275万韩元

摩根大通维持对SK海力士的增持评级,基于7倍2026-27年平均预期EPS,给出2027年6月目标价2,750,000韩元,较当前股价(1,343,000韩元)有约105%上涨空间。投资逻辑:内存上行周期处于早期阶段,SK海力士作为纯内存业务具备更高贝塔弹性;公司AI解决方案执行能力显著增强了其盈利生成能力。下行风险包括DRAM价格和利润率低于预期、终端需求/库存不确定性;上行催化剂包括DRAM ASP进一步上涨。

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