摩根大通：美光有望巩固存储市场地位，受益AI需求增长
摩根大通发布报告，基于美光科技于2026年10月21日举办的投资者技术网络研讨会，重点围绕DRAM、HBM和NAND三大产品线的技术路线图展开。美光通过系统性的技术梳理与前瞻布局，向市场传递了其维持存储行业技术领导地位的信心。
在DRAM领域，美光明确将继续采用6F²架构，而非4F²，并给出了充分理由：4F²工艺复杂度高、成本昂贵、缩放效益有限，且存在浮体效应等固有缺陷。美光认为DRAM位密度瓶颈在电容间距而非互连间距，因此6F²在成本与性能之间提供了更优平衡。公司计划在2030年前持续基于6F²平面架构演进，同时并行开发3D DRAM，以应对未来技术代际更替。
在HBM领域，美光的路线图呈现多元化趋势。HBM4已进入高量产阶段，HBM4E作为下一代产品已向关键客户送样。标准HBM与定制HBM将长期共存，定制HBM通过内存与逻辑IP集成实现更深入的客户共同设计。此外，垂直HBM和垂直边缘推理内存（vEIM）作为更长周期的架构创新，分别针对高带宽与低功耗场景优化。随着HBM复杂度提升，混合键合、更高堆叠数和先进热管理变得愈发重要，但也导致贸易比率压力增加。
在NAND领域，美光跳过G8、G9直接推出G11节点，该节点专为AI工作负载优化，实现约2倍位密度、1.5倍I/O速度和超过25%的能效提升，层数超过400层。G11引入晶圆对晶圆键合技术，预计2027年下半年量产。同时，美光正在开发两种AI级NAND产品：高速SLC设计用于GPU频繁小数据块读取，TSV堆叠设计用于将模型权重和缓存更靠近加速器。在DC SSD方面，美光已率先量产PCIe Gen6 SSD并出货245TB硬盘，技术领先优势明显。
公司还强调了客户合作模式的转变：从早期概念阶段深度参与，与多家CSP建立定制项目，如Meta的LPDDR6定制和Weka的商业化合作。研发投入覆盖短、中、长期三个时间框架，包括5.5亿美元风险投资、高NA EUV光刻路线图和100亿美元研究实验室。AI工具已深度嵌入开发流程，使DC SSD控制器流片时间减半、完整产品客户就绪时间缩短60%，并目标将创新到量产时间整体提速2倍。
综合来看，美光在存储技术关键领域的持续投入和清晰路线图，有望巩固其在DRAM、HBM和NAND市场的竞争地位，并受益于AI驱动的存储需求增长。
主要观点
美光将继续在下一代DRAM节点采用6F²架构，而非4F²，并对保持功耗与性能领先充满信心
美光在会议上直接回应了6F²与4F²的争论，表示公司评估4F² DRAM已超过二十年，但最终因工艺复杂度增加、成本更高以及缩放效益有限而放弃。从制造角度看，4F²存在三大挑战：沉积与蚀刻密集导致良率风险；工艺公差更紧（套刻、对准等）进一步压制可制造性；架构本身容易产生浮体效应，导致电荷被困在晶体管沟道中，引发性能与漏电问题。美光还反驳了4F²在密度上优于6F²的观点，指出DRAM位密度最终由电容间距而非互连间距决定。根据路线图，美光将在未来数代DRAM节点（似乎到2030年）继续采用基于6F²的平面架构，同时并行开发3D DRAM。
HBM路线图正在拓宽，定制HBM、垂直HBM和垂直边缘推理内存（vEIM）均成为重点
美光重申HBM4已进入高量产并进展顺利，HBM4E作为下一步已在今年向关键客户送样。展望未来，标准HBM与定制HBM将共存，定制HBM通过将内存IP与逻辑IP集成至基础芯片实现更深入的客户共同设计。标准JEDEC HBM与定制HBM都将采用代工节点，HBM4E因更高速度、功耗与功能需求需要更先进的CMOS。垂直HBM将内存直接置于处理器上方，大幅缩短内存-计算路径，提供更高带宽；垂直边缘推理内存采用类似方法但针对低功耗边缘AI推理优化。混合键合、更高堆叠数、先进热管理及客户共同设计在HBM路线图中日益重要，而HBM、垂直HBM及vEIM相对标准DRAM位输出需要更多晶圆，贸易比率将持续承压。
NAND转向G11节点，AI级NAND与DC SSD路线图扩大机遇，美光有望保持或提升全球eSSD前三份额
在连续三代领导节点G7至G9之后，美光直接跳至G11，该节点针对AI工作负载优化。与G9相比，G11目标实现约2倍位密度、高达1.5倍I/O速度、每比特数据传输能耗降低超过25%，层数超过400层。G11也标志着美光在NAND中采用晶圆对晶圆键合，公司曾表示会在成本合理且需满足产品规格时采用。美光预计2027年下半年量产G11，并计划通过新材料和更密集单元架构继续超越G11扩展。同时，美光正在构建两种AI级NAND产品：一种是高速SLC设计（25M-100M IOPS），用于GPU获取向量搜索和AI上下文检索等所需的小数据块；另一种是将NAND芯片TSV堆叠在逻辑芯片上，将模型权重、长上下文和KV缓存置于加速器附近，但并非直接放在GPU旁。鉴于成本较高，美光正与客户共同开发第二种产品。在DC SSD方面，过去4-5年取得重大进展，包括率先量产PCIe Gen6 SSD并出货245TB硬盘，先进节点的低成本位将支持高容量硬盘进一步增长。
更紧密的客户合作与更长研发周期支撑技术路线图，AI工具已将早期DC SSD项目开发时间缩短约50-60%
美光详细阐述了与3-4年前相比客户合作方式的重大转变：合作从概念阶段开始，贯穿联合设计、认证到量产，包括与多家云服务提供商（CSP）的定制项目。案例包括Meta定制LPDDR6用于数据中心部署，以及Weka从Micron Ventures投资组合公司发展为商业伙伴。研发方面，长期投资覆盖三个时间框架：5.5亿美元的Micron Ventures承诺（3-10年）、Albany NanoTech/NY CREATES的高NA EUV及DRAM光刻路线图（5-10年）、以及今年夏天宣布的100亿美元Micron研究实验室（10年以上）。内部AI已部署至完整开发周期，最新DC SSD控制器上AI辅助芯片设计与验证将流片时间缩短一半，AI生成固件、根因分析和智能测试选择使完整DC SSD客户就绪硅片时间缩短60%。美光目标是创新到高量产的时间提速2倍，并深化与光刻、封装/混合键合、薄膜加工供应商的合作。
