美银美林：中国在AI材料、电力与制造体系上具备结构性优势

美银美林发布的报告以“中国AI基础设施手册：材料、电力与设备”为主题，系统分析了中国在1.4万亿美元十五五AI资本开支周期中的结构性机会。报告认为，全球AI数据中心系统TAM将在2030年达到2.2万亿美元，中国AI资本开支将从2025年的1100亿美元增至2030年的3500亿美元，累计投资约1.4万亿美元。互联网公司是主要资金来源，政策驱动和电信运营商也提供补充。

中国在AI基础设施竞赛中拥有独特优势：在上游关键材料领域，中国占全球钨、稀土、铟、精炼铜产量约48-79%；在电力领域，中国有效备用裕度更高、工业电价更低、电网更年轻；在制造领域，集成工业体系和快速扩产能力使设备供应商能够在技术突破后加速国产替代。

在材料层面，报告最看好铜，因为AI数据中心供电、互联和电网升级共同拉动铜需求，中国数据中心铜需求占比将从2.1%升至6.8%，叠加供应约束和2026年397千吨缺口，铜价有望保持强势。高端PCB铜箔和电子玻纤也因设备瓶颈、低良率和长认证周期出现结构性短缺，HVLP4铜箔月缺口400-600吨，支撑价格和利润率。光材料方面，磷化铟因光模块升级和CPO/NPO趋势进入供给紧张周期，北美光纤需求或翻倍，推动光棒和光纤价格。磁材和钨受AI服务器、人形机器人和PCB钻针需求拉动，中国稀土出口管制进一步巩固供应壁垒。电子材料中的MLCC和特种气体则受益于国产替代。

电力方面，全球数据中心电力需求从100GW增至316GW，电力基础设施占数据中心资本开支10-15%。中国电网十五五期间投资4万亿元，复合增速7%；高压变压器交期长达2-3年，出口增长强劲；燃气轮机供应紧张，中国厂商凭借交期和成本优势获取份额；储能和液冷分别受益于能源转型和机架功率密度提升，液冷渗透率到2030年将达70%。

设备方面，报告对AI设备保持选择性乐观，重点推荐光模块制造设备和PCB钻针/激光设备。全球光模块制造设备TAM到2028年达550亿人民币，复合增速67%；英伟达相关AI PCB钻针市场2028年达140亿元，复合增速96%。罗博特科在CPO测试设备中具备领先卡位，鼎泰高科是全球最大PCB钻针制造商。

整体上，报告给出了从上游金属、PCB材料、光材料到电力设备、冷却和AI设备的完整推荐图谱，核心逻辑是中国在AI基础设施中的资源优势、电力成本和制造能力，将在全球AI建设潮中转化为供应链份额和盈利增长。

主要观点

全球AI数据中心系统总可寻址市场（TAM）到2030年将增至2.2万亿美元，中国AI资本开支十五五期间累计约1.4万亿美元。 

美银全球团队预计全球AI数据中心系统TAM从2025年约2780亿美元增至2030年2.2万亿美元，对应2025-30年复合增速51%；中国AI资本开支从2025年1100亿美元增至2030年3500亿美元，复合增速26%。互联网公司贡献中国AI资本开支的65-70%，政策驱动占20-25%，电信运营商占个位数中段。

中国在AI材料、电力与制造体系上具备结构性优势。 

中国占全球钨矿产量约79%、稀土矿产量约69%、铟产量约69%、精炼铜产量约48%；有效备用裕度约30%，工业电价较欧美低30-60%，电网平均服役年限不到20年，具备集成制造体系，可快速扩张AI设备产能。

铜是AI基础设施扩张的最直接受益品种之一，供需缺口扩大。 

中国数据中心铜需求预计从2025年341千吨增至2030年1272千吨，复合增速30%，占中国铜需求份额从2.1%升至6.8%。尽管存在“光进铜退”担忧，但供电、短距互联和电网升级仍依赖铜。2026年全球铜缺口预计397千吨。

高端PCB铜箔与特种电子玻纤出现结构性短缺，利好龙头。 

HVLP4铜箔2026年底月缺口约400-600吨，设备瓶颈、低良率与长认证周期限制供给；低介电/低损耗电子玻纤供不应求，普通电子级玻纤也出现涨价。

光材料进入供给紧张上行周期，InP和光纤需求缺口扩大。 

800G/1.6T向3.2T升级以及CPO/NPO增加光强度，InP是激光器、探测器不可替代材料，供给扩张需18-36个月，紧张或延续至2027-28；北美数据中心光纤需求2027年可能翻倍。

全球数据中心电力需求从100GW增至316GW，电力成为关键约束。 

全球数据中心容量年新增从2025年13GW提升至2030年56GW，耗电量由不到500TWh增至1322TWh。AIDC将占2030年全球/中国电力需求4.0%/2.5%；电力基础设施占数据中心资本开支10-15%。中国AI电力投资从2025年160亿美元增至2030年430亿美元。

电力设备细分景气：电网、变压器、燃气轮机、储能、液冷与电源系统。 

十五五期间中国电网投资4万亿，2025-30年复合增速7%；变压器出口2026年预计增25-30%，高压变压器交期2-3年；BESS安装25-30年CAGR 22%/23%；中国液冷市场25-30年CAGR 25%。

中国AI设备在光模块制造设备与PCB钻针等领域实现突破，但整体仍属选择性布局。 

全球光模块制造设备TAM 2025-28年复合增速67%，2028年达550亿人民币；英伟达相关AI PCB钻针市场2028年达140亿元，2026-28年复合增速96%。罗博特科、鼎泰高科分别为领先标的。